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  • GaTe 碲化鎵晶體 (Gallium Telluride)

    Our single crystal monoclinic GaTe (Gallium telluride) crystals come with guaranteed anisotropy, electronic, and optical grade crystal quality.

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:7030.4
    廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1845
  • 硒化鉍晶體(99.995) Bi2Se3

    硒化鉍晶體 Bi2Se3(Bismuth Selenide) 晶體尺寸:10毫米 電學(xué)性能:拓?fù)浣^緣體 晶體結(jié)構(gòu):菱面體 晶胞參數(shù):a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:8700.12
    廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1782
  • 硒化鎵晶體(99.995) 2H-GaSe

    硒化鎵晶體 2H-GaSe(Gallium Selenide) 晶體尺寸:10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:8700.12
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  • 硒化鍺晶體(99.995) GeSe

    硒化鍺晶體 GeSe (Germanium Selenide) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系 晶胞參數(shù):a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:8700.12
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    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1823
  • 二硒化鉿晶體(99.995) HfSe2

    二硒化鉿晶體 HfSe2(Hafnium Selenide) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:8700.12
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    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):2001
  • 硒化銦晶體(99.995) In2Se3

    硒化銦晶體 In2Se3(Indium Selenide) 晶體尺寸:8-10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:8700.12
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